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一个台积电,半部芯片史

2025-07-11 07:21:56

台积2001年获得国家杰出青年科学基金资助。

半部b:(1-x)BNT-xNN二元系统相图。d:芯片Pmax、Pr和ΔP随NN含量的变化。

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台积c:(1-x)BNT-xNN陶瓷的电滞回线。半部反铁电陶瓷则由于可逆相变过程的滞后性而使得储能效率较低且疲劳特性差。由于存在大的局域随机场,芯片反铁电极性纳米微区能够在非常高的外部电场下仍然呈现出温度和电场不敏感的类线性极化响应。

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另外,台积该体系材料的储能密度(3.5J/cm3)和储能效率(88%)在25-250oC、0.1-100Hz范围内保持良好的稳定性。半部b:不同电场幅值下的电流密度曲线。

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d:芯片目前报道的块体陶瓷的W和η值间对比图图4 BCB掺杂的0.78BNT-0.22NN陶瓷的铁电、介电和储能性能随温度和频率的变化a:不同温度下的电滞回线。

这些结果表明,台积BNT基无铅弛豫反铁电陶瓷将有望应用于未来脉冲功率电容器中。上海交通大学、半部复旦大学、南京大学、中国科学技术大学、中山大学和山东大学也跻身中国前十。

其次是清华大学入选学科总数16个,芯片国际排名125位。浙江大学国际排名128位,台积入选ESI前1%学科总数18个,排名第四。

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读,半部投稿邮箱[email protected]。基本科学指标数据库(EssentialScienceIndicators,芯片简称ESI)是由世界著名的学术信息出版机构美国科技信息所(ISI)于2001年推出的衡量科学研究绩效、芯片跟踪科学发展趋势的基本分析评价工具,是基于汤森路透WebofScience?(SCIE/SSCI)所收录的全球12000多种学术期刊的1000多万条文献记录而建立的计量分析数据库,ESI已成为当今世界范围内普遍用以评价高校、学术机构、国家/地区国际学术水平及影响力的重要评价指标工具之一。

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